
B4C compare with Diamond
Name:B4C compare with Diamond
Model:BC001
Unit:case
Specification(Grade):
Price:USD 2,000.000
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Goods detail informatio
B4C 是已知除了鑽石、立方氮化硼之外,硬度最為高的材料,而它擁有其他材料所沒有的低相對密度(2.52g/cm3),且亦有極高的高溫穩定性、對酸鹼的抵抗能力也遠高於其它材料,穩定存在的碳化硼結構為具有斜方六面體結構的B13C2、B12C3、B4C,等相,還有其他的亞穩定相與一些未知的相。
碳化硼亦是一種高溫P型半導體材料,因其有高熱穩定性,抗蝕、硬度、低密度,及在1000℃左右會和Fe 、Ni、Ti、Zr 等金屬產生反應,另硼[本身對中子也有很高的吸收能力,故在未來於半導體光電業、微電子學、核物理學、及軍事上亦會有很大的發展。
目前B4C已廣範使用於鑽孔、拋光、研磨等應用。在寶石、硬質陶瓷、磨耗增強板、軸承、噴嘴上已有相當程度的表現。另在軍事產業上也有輕量化的防彈裝甲材料及輕質防彈衣的出現。但礙於B4C脆性極高目前仍無法克服,故未能有更進一步突破性的發展。
AlN為人造的陶瓷材料,為六方晶系的纖維礦型(Wyrtzite)結構,AlN和鑽石的結構類似,同為四面體結構,鋁原子和氮原子以共價鍵的型態相互結合,因四面體共價鍵的結構,使氮化鋁具有很高的熔點和硬度,並且共價鍵型態下的產物,且符何下列四個原則條件(1)低原子量(2)高強度原子鍵結(3)結晶構造簡單(4)高晶格振蕩和諧性,所以其導熱的方式是由聲子的方式傳遞,故理論AlN單晶的熱傳導率可達320W/mK(純鋁熱傳導率237W/mk氧化鋁熱傳導率31.4W/mk 以上均為25℃)

AlN 為取代Al2O3、BeO、SiC等陶瓷的新時代材料,其具有優越的機械性質、高的熱傳導率、高的絕緣電阻系數等性質讓AlN大量使用在散熱片、電子陶瓷基板、或元件的封裝材料上的重要材料。且又因AlN不會與金屬發生反應,使的AlN可以更擁有更長的工作時間,甚至在金屬已處於融熔狀態下才能夠操作使用,另AlN和SiC擁有同樣能使複合材料一樣能提高機械性質的效果,但AlN在使用上的效果較SiC高出數倍,並可降低材料的熱膨脹系數,提高複合材料的熱傳導率,比如加入環氧樹脂,用於電子零件的封裝材料,目前氮化鋁應用範圍最廣的產業為電子零件的散熱基板。
碳化硼亦是一種高溫P型半導體材料,因其有高熱穩定性,抗蝕、硬度、低密度,及在1000℃左右會和Fe 、Ni、Ti、Zr 等金屬產生反應,另硼[本身對中子也有很高的吸收能力,故在未來於半導體光電業、微電子學、核物理學、及軍事上亦會有很大的發展。
目前B4C已廣範使用於鑽孔、拋光、研磨等應用。在寶石、硬質陶瓷、磨耗增強板、軸承、噴嘴上已有相當程度的表現。另在軍事產業上也有輕量化的防彈裝甲材料及輕質防彈衣的出現。但礙於B4C脆性極高目前仍無法克服,故未能有更進一步突破性的發展。
| 材質 | 碳化硼 | 碳化矽 |
| 外觀呈色 | 黑灰色粉末 | 綠色粉末 |
| 比重(g/cm3) | 2.52 | 3.2 |
| 熔 點(°C) |
2450°C ( 4442 °F) |
2350 °C (4172 °F) |
|
Mohs Knoop(kg/cm2) |
9.6 >3200 |
9.1~9.4 >2400 |
AlN為人造的陶瓷材料,為六方晶系的纖維礦型(Wyrtzite)結構,AlN和鑽石的結構類似,同為四面體結構,鋁原子和氮原子以共價鍵的型態相互結合,因四面體共價鍵的結構,使氮化鋁具有很高的熔點和硬度,並且共價鍵型態下的產物,且符何下列四個原則條件(1)低原子量(2)高強度原子鍵結(3)結晶構造簡單(4)高晶格振蕩和諧性,所以其導熱的方式是由聲子的方式傳遞,故理論AlN單晶的熱傳導率可達320W/mK(純鋁熱傳導率237W/mk氧化鋁熱傳導率31.4W/mk 以上均為25℃)

AlN 為取代Al2O3、BeO、SiC等陶瓷的新時代材料,其具有優越的機械性質、高的熱傳導率、高的絕緣電阻系數等性質讓AlN大量使用在散熱片、電子陶瓷基板、或元件的封裝材料上的重要材料。且又因AlN不會與金屬發生反應,使的AlN可以更擁有更長的工作時間,甚至在金屬已處於融熔狀態下才能夠操作使用,另AlN和SiC擁有同樣能使複合材料一樣能提高機械性質的效果,但AlN在使用上的效果較SiC高出數倍,並可降低材料的熱膨脹系數,提高複合材料的熱傳導率,比如加入環氧樹脂,用於電子零件的封裝材料,目前氮化鋁應用範圍最廣的產業為電子零件的散熱基板。
| 分子量 | 40.988 |
| 密度 | 3,26 g/cm3 |
| 熔點 | 假設3300K |
| 熱分解溫度 | 2790K |
| 結晶結構 | 六方晶系,Wurtzite |
| 晶格參數 | A=3.11Å,C=4.98 Å |
| 比熱(Cp。)300K | 7.2 cal/mol‧K |
| 線膨脹係數25-200℃ | 4.03×10-6/℃ |
| 熱傳導率25℃ | 270 W/m.K |
| 電阻率25℃ | 約1013Ω‧cm |
| 界電係數 | å0=9.14 |
| 折射率2500 Å | nθ=2.5,n0=2.4 |
| 能帶寬 |
6.2eV |

